什么是高温反向偏压试验？

高温反向偏压试验（High TemperatureReverse Bias）,简称HTRB：及在高温条件下（酸洗芯片，老化的环境温度为125℃；玻璃钝化芯片，环境温度为150℃；肖特基芯片环境温度为100℃），持续提供80%规格的反向电压。在长时间的（48/96/168小时）工作下，要求试验样品的反向漏电流能在范围值内保持稳定。（ps：二极管的其他老化项目可以参考“二极管的可靠性项目”)

HTRB实验在二极管老化项目的重点项目之一，它可以模拟终端应用中的高温高电压下的二极管状况，在批量生产前的小样可靠性实验中，也显得极其重要！

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